Институт физики микроструктур Российской академии наук разработал стратегический план по созданию отечественных установок для экстремальной ультрафиолетовой литографии. Ожидается, что первые системы, способные производить процессоры и однокристальные системы с техпроцессом 10 нм и менее, появятся примерно через 10 лет.
Российские литографы будут отличаться от аналогов ASML благодаря использованию уникальных технологий, включая гибридные твердотельные лазеры и источники света на основе ксеноновой плазмы. Это позволит избежать загрязнения фотошаблонов, что существенно снизит эксплуатационные расходы. Кроме того, упрощенная конструкция установок избавит от необходимости использования высоконапорных иммерсионных жидкостей.
Дорожная карта включает три ключевых этапа:
- Первый этап (2026–2028): создание литографа для 40-нм техпроцесса, производительность — более 5 пластин в час;
- Второй этап (2029–2032): разработка сканера для 14-нм процессоров, производительность — более 50 пластин в час;
- Третий этап (2033–2036): создание системы для чипов с разрешением менее 10 нм, производительность — более 100 пластин в час.
Каждое поколение литографов будет обладать улучшенной оптической системой и повышенной эффективностью, при этом стоимость производства будет значительно ниже, чем у систем ASML Twinscan NXE и EXE.
