Samsung Electronics достигла значительного прогресса в разработке полупроводников следующего поколения, сообщив о 50% уровне производительности при производстве своего нового чипсета Exynos 2600 с использованием передового 2-нм техпроцесса. Это достижение указывает на успешное преодоление технических проблем, связанных с миниатюризацией транзисторов, и открывает путь к массовому производству ключевого компонента для смартфонов компании. Технология Gate Allaround (GAA) стала основой данного успеха, обеспечивая более эффективное управление электрическим током. Samsung планирует интегрировать Exynos 2600 в линейку Galaxy S26, что позволит улучшить контроль над цепочкой поставок. Также ожидается, что чип обеспечит значительное увеличение производительности и энергоэффективности, что станет важным шагом к укреплению позиций компании на рынке высокопроизводительных чипов.

News Reporter

Warning: Undefined array key "morda" in /var/www/health/data/www/dotmediacup.spb.ru/wp-content/plugins/wx1-footerlink/wx1-footerlink.php on line 142

Warning: Undefined array key "footerdva" in /var/www/health/data/www/dotmediacup.spb.ru/wp-content/plugins/wx1-footerlink/wx1-footerlink.php on line 149

Warning: Undefined array key "footerdva" in /var/www/health/data/www/dotmediacup.spb.ru/wp-content/plugins/wx1-footerlink/wx1-footerlink.php on line 153