Крупнейшие китайские производители полупроводников памяти намерены кардинально нарастить свои производственные объемы. В условиях глобального дефицита они рассматривают это как шанс сократить отставание от лидеров рынка — Samsung, SK Hynix и Micron. Основным драйвером этого расширения станет высокий внутренний спрос, вместе с возможностью выйти на внешние рынки. Если главные конкуренты сосредоточивают усилия на производстве памяти для технологий ИИ, китайские компании также будут предлагать решения для потребительского сегмента.

ChangXin Memory Technologies (CXMT), ведущий производитель DRAM в Китае, планирует утроить свои производственные мощностях в Шанхае. Новые заводы начнут выпускать DRAM для серверов, ПК и автомобильной электроники с 2027 года, а также увеличат объемы по выпуску HBM памяти для ИИ. CXMT уже занимает четвертое место по производству DRAM с долей рынка 11,1% и ожидает увеличения до 13,9% к 2027 году.

Yangtze Memory Technologies (YMTC), главный производитель NAND в стране, также повышает свои производственные мощности в Ухане, запуская новый завод в 2027 году. Кроме NAND, он будет выпускать и DRAM. YMTC преодолел сложности, связанные с доступом к особому оборудованию, и после санкций США успешно запустил собственную разработку DRAM.

News Reporter

Warning: Undefined array key "morda" in /var/www/health/data/www/dotmediacup.spb.ru/wp-content/plugins/wx1-footerlink/wx1-footerlink.php on line 142

Warning: Undefined array key "footerdva" in /var/www/health/data/www/dotmediacup.spb.ru/wp-content/plugins/wx1-footerlink/wx1-footerlink.php on line 149

Warning: Undefined array key "footerdva" in /var/www/health/data/www/dotmediacup.spb.ru/wp-content/plugins/wx1-footerlink/wx1-footerlink.php on line 153