Ученые из Индийского научного института (IISc) сделали важное открытие в разработке силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN), что значительно улучшит их безопасность и эксплуатационные характеристики в высокотехнологичной электронике. Нитрид галлия снижает потери энергии и уменьшает размеры модулей силовой электроники, однако его внедрение ограничено из-за недостатков в конструкции затвора, регулирующего поток тока.

Команда из Департамента проектирования электронных систем проводила исследование, чтобы разобраться в механизмах управления транзисторами. Они установили физическую связь между обедненным состоянием p-GaN и утечками тока. Это позволило разработать новые затворы, которые в 10 000 раз снижают утечку заряда и увеличивают стабильность порога. В результате полученные устройства демонстрируют пороговое напряжение свыше 4 В, сопоставимое с MOSFET-транзисторами на базе кремния, что ускорит внедрение этих технологий в электромобили и другие системы.