Память типа HBM, состоящая из нескольких слоев, является одной из самых быстрых на рынке, однако её производство остаётся дорогостоящим и сложным. Как сообщает Business Korea, организация JEDEC готовит изменения в стандартах, касающихся высоты стека HBM4E, что упростит работу производителям как текущего поколения, так и будущих. На данный момент максимальная высота стека для HBM3E составляет 720 мкм, а для HBM4 — 775 мкм. Ожидается, что для HBM4E этот показатель вырастет до 900 мкм, что позволит увеличить количество ярусов в стеке и, соответственно, его ёмкость. Современные HBM3E уже имеют до 12 ярусов, а производители работают над 16-ярусными чипами. Кроме того, смягчение требований позволит сохранить существующее оборудование и снизить уровень брака, увеличивая объёмы качественной продукции. Однако такие изменения могут вызвать недовольство среди южнокорейских компаний, таких как Samsung и SK hynix, которые уже превышают требования стандартов JEDEC, что может облегчить выход китайских производителей на рынок.