Прокуратура Центрального округа Сеула выдвинула обвинения против десяти человек, замешанных в крупной краже технологий производства DRAM-памяти 10-нанометрового класса у Samsung Electronics. Из них пятеро, среди которых есть экс-сотрудники компании, были задержаны. Ущерб, причиненный Samsung, составляет 5 триллионов вон (примерно 3,5 миллиарда долларов), а для экономики Южной Кореи потери достигают десятков триллионов вон. Расследование выявило, что китайская фирма ChangXin Memory Technologies (CXMT), основанная в 2016 году, привлекла бывшего руководителя отдела Samsung для управления своими разработками. В сотрудничестве с другими экс-сотрудниками он организовал план по краже технологий. Один из перебежчиков вручную воспроизвел сотни этапов 18-нанометрового производственного процесса, который Samsung разрабатывала на протяжении пяти лет, затратив 1,6 трлн вон. Преступники создали фиктивную компанию и использовали собственный код для общения, чтобы избежать обнаружения. Адаптированные данные позволили CXMT начать производство передовой памяти в 2023 году, что сократило технологический разрыв. Прокуратура классифицировала случай как угрозу национальной безопасности, учитывая, что полупроводниковая отрасль составляет более 20% экспорта Кореи. Власти пообещали жестко пресекать незаконную передачу технологий за границу.