Ключевым достижением 2-нм техпроцесса стало внедрение архитектуры транзисторов Gate-All-Around (GAA), которая позволяет значительно уменьшить утечки тока и повысить производительность на 10-15% при снижении энергопотребления до 30% по сравнению с 3-нм техпроцессами TSMC. Это особенно актуально для серверов ИИ и мобильных устройств, где эффективность имеет критическое значение.
Samsung, опираясь на опыт работы с GAA на 3-нм техпроцессах, разрабатывает SF2P с MBCFET-транзисторами, позволяющими варьировать ширину нанолистов для достижения оптимального баланса между производительностью и энергозатратами. К концу 2025 года планируется достичь 60% выхода годных изделий для процессоров Exynos 2600.
Переход на жидкостное охлаждение становится необходимостью для обеспечения производительности чипов, особенно в условиях высокой плотности мощности. Кроме того, 2-нм техпроцесс открывает новые горизонты для интеграции HBM4, что позволит улучшить производительность ИИ-систем.
В условиях конкуренции Apple и AMD также активно работают с TSMC и Samsung, а Google запускает переговоры о производстве TPU на новом заводе в Тейлоре. Цены на 2-нм пластины варьируются: TSMC предлагает их за $30,000, тогда как Samsung — за $20,000, что может привлечь стартапы и компании второго эшелона.
Первые коммерческие ускорители ИИ на 2-нм основе ожидаются к середине 2026 года, что станет шагом к созданию более точных ИИ-систем. В долгосрочной перспективе 2-нм технологии подготовят путь к 1,4-нм чипам, при этом производители сталкиваются с вызовами квантовых эффектов и необходимостью достижения идеального выхода годных изделий.
