Samsung объявила о начале массового производства и коммерческого выпуска своей памяти HBM4, став первопроходцем в данной области. Основная особенность этой новинки заключается в использовании передового 4-нм техпроцесса для логического слоя и чипов DRAM шестого поколения, которые соответствуют 10-нм классу. Это позволило обеспечить впечатляющие характеристики без необходимости серьезного пересмотра архитектурного подхода. Новая память демонстрирует скорость до 13 Гбит/с, а ее пропускная способность составляет 3,3 ТБ/с на стек, что в 2,7 раза выше, чем у предшественника HBM3E. Эти достижения являются критически важными для оптимизации процессов, связанных с обучением крупных языковых моделей ИИ. При этом, несмотря на удвоение числа входных контактов с 1024 до 2048, инженеры увеличили энергоэффективность на 40%. На данный момент доступны модули объемом 24 и 36 ГБ, а в будущем ожидается запуск 16-слойных модулей на 48 ГБ. Samsung предсказывает стремительный рост потребности в данной памяти, ожидая, что к 2026 году продажи HBM увеличатся более чем в три раза по сравнению с 2025 годом. Также в планах компании — тестирование усовершенствованной версии HBM4E во второй половине 2026 года и выпуск специализированных чипов памяти с 2027 года.